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Yb2O3的掺杂方式对Ba(Ti1--yZry)O3陶瓷介电性能的影响

齐建全 , 桂治轮 , 王永力 , 李琦 , 李龙土

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.036

在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化.采用Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高,获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料.合成后掺杂的Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关.合成前掺杂Yb2O3的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子得到补偿的结果.

关键词: Yb2O3 , Ba(Ti1-yZry)O3 , 介电性能

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