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正交相BaSi2薄膜的制备及结晶研究

杨子义 , 郝正同 , 徐虎

材料导报

室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜...

关键词: BaSi2薄膜 , 晶体结构 , 表面形貌 , 透射光谱 , 电学性质