付承菊
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黄志雄
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李杰
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郭冬云
材料导报
采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜.研究了退火温度对其晶相形成的影响,发现在较低温度退火(450℃)时,Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3晶相开始形成,但存在杂相,而且结晶度较差;在490600℃可以获得结晶较好的单相Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜.同时对经550℃退火的薄膜的介电、铁电和铁磁性能进行了研究,结果表明,Bi_(0.85)Eu_(0.15)FeO_3薄膜具有较好的介电及铁磁性能.当测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为80、0.024,饱和磁化强度约为26.2emu/cm~3.
关键词:
Sol-gel法
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Bi0.85Eu0.15FeO3
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薄膜
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介电性能
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铁电性能
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铁磁性能