材料期刊网

Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

杨波波 , 徐家跃 , 申慧 , 张彦 , 陆宝亮 , 江国健

人工晶体学报

本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相；XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常...

关键词: Bi4Si3O12 , Bi4Ge3O12 , 析晶行为 , 坩埚下降法 , 晶体生长