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稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能

费一汀 , 孙仁英 , 范世(马豈)

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.007

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12晶体及Ce、Nd和Eu掺杂Bi4Si3O12晶体.测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发-发射光谱.总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性.

关键词: 坩埚下降法 , Bi4Si3O12及掺杂Bi4Si3O12晶体 , 透射光谱 , 光产额 , 激发-发射光谱 , 闪烁晶体