涂娜
,
江向平
,
李小红
,
傅小龙
,
杨帆
人工晶体学报
采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3 O12-xSrBi2 Nb2 O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷.系统研究了SrBi2 Nb2 O9掺杂对Bi4Ti3 O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ =98.1％,机电耦合系数kp=8.26％,εr=220,介电损耗tanδ =0.29％,剩余极化强度Pr=9.128 μC/cm2,Tc=594℃.同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
SrBi2Nb2O9
,
铋层状
,
铁电陶瓷
,
介电性能
涂娜
,
江向平
,
陈超
,
傅小龙
,
杨帆
稀有金属材料与工程
采用传统固相法制备了CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3 (BTO-KNN)铋层状陶瓷材料.系统研究了CeO2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO2的掺杂而显著提高,损耗明显降低.当CeO2掺量为0.75％(质量分数)时,样品具有最佳的电性能:d33=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.29％,机械品质因数Qm=2897,剩余极化强度Pr=11.83 μC/cm2,且居里温度 Tc高达615℃;研究结果表明CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12-0.1K0.5Na0.5NbO3铋层状陶瓷是一种潜在的高温陶瓷材料.
关键词:
铋层状
,
压电陶瓷
,
微观结构
,
Bi4Ti3O12
阚艳梅
,
王佩玲
,
李永祥
,
程一兵
无机材料学报
研究了工艺参数对熔盐法制备钛酸铋粉体晶粒形貌和尺寸的影响.发现温度、盐的种类和盐的用量能够较显著地影响晶粒的形貌和尺寸.在氯盐中,晶粒尺寸随着温度的升高而逐渐增大,晶粒最终发育为较规则的圆片状,晶粒生长按照Ostwald液相生长机理来进行.在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下在氯盐中的尺寸,且晶粒形貌呈不规则片状.当原料与盐的比例<1时,随着盐用量的增加,晶粒尺寸减小,形貌更加不规则.通过调整工艺参数能够控制颗粒的尺寸和形貌,制备具有各向异性生长的钛酸铋片状粉体.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
molten salt
,
processing parameter
,
morphology
王华
,
李岩
功能材料
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2～5.4V(加正向电压)或2.2～3.6V(加负向电压)时,BIT薄膜应以Schottky emission导电机制为主;而对于较高的场强下,BIT薄膜以Space-charge limited currents(SCLC)导电机制为主.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
漏导机制
,
I-V特性
于伟娜
,
刘素文
,
修志亮
,
俞娇仙
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.03.033
采用溶胶一凝胶法制备了掺 Al3+ 的Bi4 Ti3 O12 薄膜(Bl-xAlxTi3O12).采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响.光催化结果表明,Al3+的掺杂量为 2atm% 时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高 57.9%,且吸收边红移量为 36nm.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
Al3+ 掺杂
,
光催化
,
Bi4Ti3O12
王华
,
于军
,
王耘波
,
倪尔瑚
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.11.008
采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态,退火温度在550～850℃范围时均为多晶薄膜,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大,但在较高温度下增长速度趋缓.
关键词:
铁电薄膜
,
Bi4Ti3O12
,
微观结构
,
退火温度
王华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.05.023
为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿c-轴择优取向生长的趋势,而Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V特性曲线则表明,该异质结可实现电极化存储.此外,对该异质结C-V特性曲线的非对称及向负偏压方向偏移的产生原因也进行了分析.在此基础上,为提高铁电薄膜的铁电性能及改善其C-V特性提出了合理的结构设想.
关键词:
铁电薄膜
,
C-V特性
,
Sol-Gel法
,
Bi4Ti3O12
樊峻棋
,
吴孟强
,
张树人
材料导报
采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的Bi4-xNdxTi3O12(x=0～1.0)陶瓷.采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能.研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒均匀.不同Nd掺杂量并未引起物相结构的改变,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构.适量的Nd掺入会提升Bi4-xTi3O12陶瓷样品的铁电性能.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
铁电陶瓷
,
固相合成
,
掺杂
袁颖
,
胡永明
,
胡正龙
,
尤晶
,
顾豪爽
稀有金属材料与工程
以Bi(NO3)3·5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,NaOH为矿化剂,采用水热法制备了形貌规则的单晶Bi4Ti3O12纳米片.X射线衍射(XRD)结果表明,所合成的产物为正交相层状钙钛矿结构的Bi4Ti3O12.场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究显示:样品是由大量边缘尺寸接近200 nm,厚度约为15 nm的片状结构组成.利用X射线光电子能谱(XPS)研究产物的化学组分和价态分布.室温拉曼光谱研究表明,Bi4Ti3O12纳米片的声子寿命和热稳定性低于相应的块体材料.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
水热法
,
纳米片
,
XPS
,
Raman
李艳杰
,
宁青菊
,
武利娜
材料导报
综述了Bi4Ti3O12材料的最新研究进展,介绍了Bi4Ti3O12制备方法和改性技术的研究,对熔盐法制备、热锻、模板晶粒生长、丝网印刷等几种晶粒定向生长技术和A、B位掺杂及机理等方面的研究进行了系统评述,总结了目前Bi4Ti3O12研究中存在的问题,并对未来的研究方向进行了预测.
关键词:
Bi4Ti3O12
,
熔盐法
,
晶粒定向生长
,
掺杂
