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Bi4Ti3O12掺杂BST陶瓷性能和结构的研究

黄新友 , 高春华 , 陈志刚

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.005

采用固相法,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试分析方法系统研究了Bi4Ti3O12掺杂量(质量分数,下同)(18%~50%)对(Ba0.71Sr0.29)TiO3 (BST)基电容器陶瓷介电性能和结构及烧结温度的影响.研究结果表明:随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小然后增大.在BhTi3O12掺杂量的范围内,BST陶瓷的物相均为Bi4Ti3O12和BST的混合相,随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,Bi4Ti3O12相逐渐增多.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(ε)逐渐减小;介质损耗(tarδ)均较小(0.0050~0.0075),呈先减小后增大的趋势;烧结温度逐渐降低,当Bi4Ti3O12掺杂量为50%时,烧结温度为1090℃.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的容温变化率(AC/C)绝对值在正温范围内(25~125℃)逐渐减小,容温变化率(△C/C)在负温范围内(-55~25℃)先减小然后上升再下降.当Bi4Ti3O12掺杂量为26%时,BST陶瓷综合性能较好,其介电常数为1700,介质损耗为0.006,容温变化率的绝对值小于15%(-55~125℃),符合X7R特性,耐直流电压为5.0kV/mm,烧结温度为1120℃.

关键词: 电容器陶瓷 , 钛酸锶钡 , Bi4Ti3O12掺杂 , 介电性能

Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷结构与介电性能的影响

周焕福 , 黄金亮 , 王茹玉 , 李谦 , 黄清伟

功能材料

研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响.采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌.结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε.1000℃烧结8%(摩尔分数) Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ= 4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃.

关键词: BZN陶瓷 , Bi4Ti3O12掺杂 , 烧结特性 , 显微结构 , 介电性能

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