材料期刊网

硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究

王耘波 , 高俊雄 , 郭冬云 , 于军 , 魏龙

功能材料

对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化.通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散.

关键词: 慢正电子束 , 多普勒展宽谱 , Bi4Ti3O12铁电薄膜 , 缺陷