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La对BiFeO3薄膜的替代效应

刘红日 , 刘祖黎 , 姚凯伦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.012

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了纯的和10%A位La替代的BiFeO3薄膜.研究了室温下薄膜的介电与铁电性质和漏电流性质.铁电性研究表明,通过La替代,薄膜的铁电性得到显著增强,剩余极化强度由1.67 μC/cm2增加到2.20 μC/cm2.介电性质研究表明,在整个测试频率范围内,La替代的薄膜的介电性得到了增强.低频下的介电损耗增加而高频的介电损耗减少.而漏电流特性测试表明,La替代有效的限制了BiFeO3薄膜的漏电流.

关键词: BiFeO3薄膜 , La替代 , 铁电性 , 介电性质 , 漏电流

退火温度对Sol-gel法制备的BiFeO3薄膜结构及电性能的影响

王秀章 , 晏伯武 , 刘红日

材料导报

采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃.实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm.

关键词: 铁电薄膜 , 溶胶-凝胶法 , BiFeO3薄膜 , 退火温度

PbTiO3/BiFeO3多层薄膜的铁电性质

刘红日 , 王秀章

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.014

用溶胶一凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了BiFeO3/PbTiO3多层薄膜.研究了室温下薄膜的结构,铁电性质和漏电流性质,并将其与纯的BiFeO3薄膜的性质进行了比较.从薄膜的XRD模式中可以观察到共存的BiFe3O相和PbTiO3相.通过电滞回线测量发现,在较低的测试电场下,BiFeO3/PbqTiO3多层薄膜表现出反铁电性;而在较强的测试电场下表现出铁电性.相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/PbTiO3多层薄膜能够承受更高的测试电场而获得充分极化,从而表现出较强的铁电性.漏电流特性测试表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/PbTiO3多层薄膜具有更低的漏电流.

关键词: BiFeO3薄膜 , BiFeO3/PbTiO3多层薄膜 , 铁电性 , 漏电流

LaNiO3底电极上的BiFeO3薄膜的铁电性能

刘红日 , 王秀章

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.008

用溶胶一凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了500℃退火的BiFeO3薄膜.研究了室温下薄膜的结构,介电与铁电性质和漏电流性质.XRD研究表明薄膜呈R3m结构,没有观察到不纯相.铁电性研究表明,薄膜具有大的剩余极化强度,在600 kV/cm的测试电场下,薄膜的剩余极化强度为20uC/cm2,矫顽场为440 kV/cm.介电性质研究表明,在整个测试频率范围内,薄膜具有小的介电损耗.而漏电流特性测试表明,通过工艺的改进,有效的限制了BiFeO3薄膜的漏电流.

关键词: BiFeO3薄膜 , 铁电性 , 介电性质 , 漏电流

高分子辅助溶胶-凝胶法制备BiFe1-xCoxO3薄膜及其性能

陈吉利 , 赵立峰 , 许加阳 , 黄正银 , 黄宁湘 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用高分子辅助溶胶-凝胶法在ITO/玻璃衬底上制备纯的及10%B位Co替代的BiFeO3(BFO)薄膜.XRD研究表明,两薄膜均为纯相的菱方六面体状扭曲的钙钛矿结构.SEM测观表明,Co替代有利于改善BFO薄膜的致密性和平整度.铁电测试结果表明,Co 取代薄膜的铁电性有明显增强,同时饱和极化电场强度增加,漏电流减小.磁性测试表明,BFCO薄膜磁性明显增强.

关键词: BiFeO3薄膜 , Co替代 , 铁电性 , 磁性

沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响

赵庆勋 , 张婷 , 马继奎 , 魏大勇 , 王宽冒 , 刘保亭

人工晶体学报

应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×104 A/cm2.漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理.实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性.

关键词: 磁控溅射 , 沉积温度 , SrRuO3 , BiFeO3薄膜

BixLa1-xFeO3薄膜的介电和铁电性质的研究

刘红日 , 孙玉霞

材料导报

用溶胶-凝胶法制备了纯的和5%La掺杂的BiFeO3薄膜,研究了室温下薄膜的介电和铁电性质.介质性质研究表明,在6.8MHz和7.8MHz附近,BiFeO3薄膜和Bi0.95Ia0.05FeO3薄膜分别出现了介电损耗极大和介电常数的正负转变,归结为薄膜的介电性质由容性向感性的转化.而铁电测试表明,通过La掺杂,增强了薄膜的铁电性,同时有效地减少了BiFeO3薄膜的漏导.

关键词: BiFeO3薄膜 , 铁电性 , 介电性质

溶胶-凝胶方法制备BiFeO3薄膜及其铁电性质

刘红日 , 刘堂昆 , 李景德

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.009

用溶胶-凝胶方法制备了BiFeO3薄膜,XRD研究表明薄膜呈随机取向,扫描电镜研究表明薄膜表面呈致密的多晶结构,薄膜与底电极之间没有互扩散.铁电性测试表明室温下的剩余极化强度为1.8μC/cm2,与低温下BiFeO3单晶的剩余极化相当.介电损耗呈弥散型转化,与薄膜中的Bi46Fe2O72相有关.

关键词: 溶胶-凝胶 , BiFeO3薄膜 , 铁电性质

Fe3+/Bi3+对纯相BiFeO3薄膜的影响及生长机理研究

任宣儒 , 谈国强 , 苗鸿雁

功能材料

以Bi(NO3)3·5H2O,Fe(NO3)3·9H2O为原料,柠檬酸为螯合剂,用液相自组装法,在ITO玻璃基片上制备了纯相BiFeO3薄膜.研究了前驱液中Fe3+/Bi3+摩尔比对BiFeO3薄膜的影响.利用XRD,EDS,XPS,FE-SEM和FT-IR等测试手段对BiFeO3薄膜进行了表征.结果表明,由于柠檬酸对Fe3+的掩蔽作用,使得Bi3+络合物比Fe3+络合物沉积速率大,导致薄膜出现Bi2O3和Bi2O2.33相,随着Fe3+/Bi3+摩尔比增加到2.6时,制备了纯相BiFeO3薄膜;薄膜表面平整致密,颗粒均匀,生长完好,薄膜厚度约为275nm;BiFeO3薄膜中Fe原子的氧化态是Fe3+;Bi3+和Fe3+的络合物以不同的速率被-OH诱导吸附到ITO玻璃基片上,形成牢固的化学键结合,退火处理后形成晶态BiFeO3薄膜.

关键词: 自组装 , BiFeO3薄膜 , 纯相

取向对PLD法制备BiFeO3薄膜性能的影响

黄艳芹

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.027

以快速等离子烧结法(SPS)制备的BiFeO3块体为靶材,用激光脉冲沉积(PLD)法在不同衬底上制备了BiFeO3 (100)/LaNiO3 (100)/Si(100)、BiFeO3(111)/LaNiO3 (111)/SrTiO3 (111)、BiFeO3(110) /Pt/TiO2/SiO2/Si、BiFeO3 (110) LaNiO3 (110)/Pt/TiO2/SiO2/Si不同择优取向的薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM分析.X射线衍射结果表明,BiFeO3薄膜外延沉积在导电层衬底上,并且它们具有相同的高度取向.SEM分析表明,薄膜上的晶粒是柱状形态,表面光滑致密且颗粒分布非常均匀,晶粒的边界和尺寸也能被清晰地观察到.通过铁电铁磁性能研究,BiFeO3(111)择优取向性能最佳.SrTiO3衬底上(111)取向的BiFeO3薄膜铁电剩余极化值达到了30.3μC/cm2,漏电流为1.0×10-3A/cm2,饱和磁化强度为20.0kA/m.

关键词: BiFeO3薄膜 , 铁电铁磁性 , 激光脉冲沉积(PLD)

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