吴雯
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熊娟
,
杜鹏飞
,
陈侃松
,
顾豪爽
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.017
采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜.用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理.分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AIN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°.
关键词:
C轴倾斜
,
AlN薄膜
,
射频反应溅射
