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采用快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜,矫顽场Ec=9kV/cm,在室温下剩余极化强度 Pr=8μC/cm2;退火提高了钛酸铋薄膜的介电常数和材料的绝缘性,0.1M Hz附近薄膜材料的介电损耗tgδ<0.1.

Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的制备及其C-V特性研究

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.05.023

为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿...

关键词: 铁电薄膜 , C-V特性 , Sol-Gel法 , Bi4Ti3O12

Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 汪晓芹 , 查钢强 , 曾冬梅 , 杨戈

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052

对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进...

关键词: CZT晶体 , PL谱 , I-V特性 , C-V特性

反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

徐文彬 , 王德苗

材料导报

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采...

关键词: 氯氧化硅 , 氯氧比 , C-V特性 , 栅介质

ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究

熊超 , 肖进 , 丁丽华 , 陈磊 , 袁洪春 , 徐安成 , 周详才 , 朱锡芳 , 潘雪涛

功能材料与器件学报

本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究.研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域...

关键词: ZnO/n-Si异质结 , I-V特性 , C-V特性 , 内建电势 , 界面态

PMMA分子量对其电学特性的影响

张亚军 , 王乐 , 祖帅 , 钟传杰

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.005

通过分析以PMMA[poly( methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响.PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成.PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm.测量结果表明:(1)996K...

关键词: PMMA , 绝缘膜 , OTFTs , 栅绝缘膜陷阱 , C-V特性

La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

冯湘 , 王华

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电...

关键词: Bi4Ti3O12薄膜 , 介电性能 , 漏电流 , C-V特性

硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

付承菊 , 郭冬云 , 黄志雄

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.021

Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi...

关键词: Bi4 Ti3O12 , 铁电薄膜 , Sol-Gel法 , C-V特性

熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性

戴国瑞 , 孙颖 , 童茂松 , 王宗昌 , 张英兰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.03.007

报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上，摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法，用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 590 和 680℃。用X射线衍射(XRD) 和光电子能谱(XPS) 对薄膜的物相和组份进行了分析，...

关键词: 玻璃薄膜 , 电泳涂覆 , 结构分析 , C-V特性

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

袁剑峰 , 闫东航 , 许武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.003

研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度...

关键词: 有机薄膜晶体管 , 阈值电压漂移 , 栅绝缘膜陷阱 , C-V特性

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快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究

Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的制备及其C-V特性研究

Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究

PMMA分子量对其电学特性的影响

La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

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