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MLS结构的电容-电压特性

张佐兰 , 郑茳 , 黄勤 , 陆祖宏 , 魏同立

材料研究学报

本文报导在Si 衬底上拉制聚酰胺LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。

关键词: LB膜 , C-V characteristics , insulator films

反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究

徐文彬 , 王德苗

材料导报

在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.

关键词: 氯氧化硅 , 氯氧比 , C-V特性 , 栅介质

硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

付承菊 , 郭冬云 , 黄志雄

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.021

Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

关键词: Bi4 Ti3O12 , 铁电薄膜 , Sol-Gel法 , C-V特性

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/35/6/064002

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半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/36/9/094003

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