王丽平
,
韩培德
,
贾虎生
,
许并社
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.04.019
用密度泛函方法采用GGA/PW91基组对具有D6h对称性的C36及其衍生物Mo@C36进行结构优化和性能计算,研究Mo@C36稳定构型、存在的可能性及稳定性,以及Mo掺杂对C36结构及性能的影响.结果表明,Mo位于C36主轴上偏离中心约0.1 nm时,Mo@C36能量最低,结构最稳定;Mo掺杂引起笼的局部畸变,但Mo@C36仍保持完整笼型结构,其稳定性比C36有所提高.Mo原子嵌入C36使其禁带宽度增大,导电性及化学反应活性降低;费米能级下降,但仍处于禁带之间,二者均属半导体性质的材料.C36结构及性能的变化与Mo所处的位置及Mo与C36笼之间的电子迁移有关.
关键词:
材料科学基础学科
,
C36
,
Mo@C36
,
密度泛涵
,
电子结构
