朱玉满
,
张文征
,
叶飞
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.003
利用从固态相变产生的沉淀相惯习面总结出的Δg平行法则,计算了β-FeSi2半导体薄膜和Si基体之间可能的择优取向关系.根据界面匹配和结构的分析,建议最优衬底基面的晶体学位向.预测的界面是一个无理面,含有原子尺度台阶,晶格间具有良好匹配关系.以该界面位向作为Si衬底的基面有可能导致高质量金属硅化物β-FeSi2薄膜的生长.
关键词:
取向关系
,
界面结构
,
Δg平行法则
,
CCSL模型
,
β-FeSi2薄膜
,
Si衬底
