詹琰
,
潘利坤
,
赵占霞
,
李拥华
,
王德明
,
马忠权
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.04.015
采用Verilog硬件描述语言设计了用于USB2.0设备控制中的端点控制器.端点数可由用户配置最多达16个.支持8位/16位USB接口,并支持8位/16位/32位AHB或8051接口以及32位的DMA接口.该端点控制器采用180nm CMOS工艺进行流片,所有功能均通过了测试.
关键词:
USB2.0
,
端点控制器
,
Verilog硬件描述语言
,
CMOS
段宝兴
,
杨银堂
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.013
针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金属栅的底层金属厚度小于其最大偶极层厚度时,功函数较厚膜材料变大,达到"厚度调变功函数"效应.
关键词:
CMOS
,
双层金属栅
,
阈值电压
,
调变功函数
王庆学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.018
本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度.结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流.同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性.由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动.通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术.
关键词:
电荷泵
,
超薄栅氧化
,
CMOS
,
HLMF
,
ABTP
林志成
,
邵庆益
,
陈阿青
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.013
在AB类输出级的基础上,结合正反馈辅助的B类输出级,提出了一种用于LCD驱动电路的大输出摆率、低功耗的输出缓冲放大器.在0.15μm高压CMOS工艺模型下,该放大器能够驱动0～20 nF范围的容性负载,静态电流为7μA,1%精度建立时间小于6μs,满足了LCD驱动电路行建立时间的要求;通过采用共源共栅频率补偿结合输出零点补偿技术,较好地满足了大动态范围容性负载的要求.
关键词:
CMOS
,
LCD驱动
,
缓冲放大器
,
低功耗
,
AB类输出级
,
B类输出级
孙伟峰
,
叶志镇
,
赵炳辉
,
朱丽萍
材料导报
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
关键词:
SiGe
,
双极
,
CMOS
,
射频
,
MSG
林志成
,
邵庆益
,
陈阿青
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.017
设计了一种用于TFT-LCD驱动的低功耗CMOS缓冲放大器.该放大器在AB类缓冲放大器的基础上,结合辅助的B类放大器,能够驱动大容性负载,以较低的功耗达到了LCD驱动的速度要求.在0.15μm CMOS工艺模型、20 nF电容负载和5.5 V电源电压下,该缓冲放大器的静态功耗为40μW,1%精度的建立时间为7 μs.
关键词:
CMOS
,
LCD驱动
,
缓冲放大器
,
低功耗
,
AB类输出级
,
B类输出级
尹东辉
,
任彦楠
,
岳超
,
李福乐
,
池保勇
,
陈志良
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0078
设计了一种基于动态扫描原理的液晶显示(LCD)驱动芯片.该芯片为高压CMOS数模混合集成电路并支持输出频率可选功能.芯片输入数据频率为13.5 MHz,输出1024级256列模拟电压信号直接驱动LCD,输出电压幅度可达12 V以上.负载为200 pF时,最大摆幅E升/下降时间小于5 μs.芯片采用新加坡特许半导体(Chartered)0.35μm、18 V高压工艺设计,并进行了仔细的版图设计以减小匹配误差,仿真结果显示电路性能完全满足设计指标要求.
关键词:
LED
,
显示驱动
,
CMOS
,
高压数模混合
李奇奋
,
李妥
,
陈志良
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112606.0801
介绍了一种应用于AM-OLED显示屏的MDD1数据处理芯片.在移动显示领域,MDDI( Mobile Display Digital Interface)因数据连接线少、功耗低、信号传输可靠性高、可有效降低噪声、降低硬件复杂度而得到越来越广泛的应用.所设计的芯片用于240 RGB× 320的AM-OLED显示屏,支持RGB模式和26万色分辨率.控制显示器的屏幕刷新频率为40～60 Hz.可完全支持MDDI协议.由于输入数据量较大而MDDI为串行接口,芯片的数字输入频率最高可达100 MHz.设计中综合考虑了芯片面积、速率与功耗等方面的限制.经过FPGA验证,该显示电路性能完全满足设计指标要求.
关键词:
MDDI
,
AM-OLED
,
显示控制
,
CMOS
