朱杰
,
张志萌
,
马爽
人工晶体学报
通过选择合适的研磨剂、抛光垫以及抛光材料,采用机械抛光与CMP抛光相结合的方法对应用于高激光损伤阈值的薄膜基体材料YCOB晶体进行表面加工.通过优化研磨抛光工艺后得到超光滑晶体表面,样品表面在125μm×94μm的范围内粗糙度RMS值达到0.6 nm,同时具有非常低的亚表面损伤层,经过超声清洗和有机溶剂刻蚀后,在高倍显微镜下无明显划痕.
关键词:
亚表面
,
YCOB
,
抛光
,
CMP
王陈
,
李庆忠
,
朱仌
人工晶体学报
针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著.向当前抛光液中加入5wt％的15 nmSiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min.说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用.
关键词:
超声波
,
雾化施液
,
CMP
,
磨料粒径
,
材料去除率
贾少华
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
闫辰奇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.047
采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化.通过实验得到了碱性条件下抛光速率较高、粗糙度较小的最佳pH值.研究了等质量分数等粒径条件下磨料分散度以及抛光温度对抛光速率和蓝宝石表面粗糙度的影响.
关键词:
蓝宝石
,
CMP
,
活性剂
,
分散度
,
温度
宋晓岚
,
王海波
,
吴雪兰
,
曲鹏
,
邱冠周
中国稀土学报
以异丙醇铝和六水硝酸亚铈为铈源和铝源,采用溶胶-凝胶法制备了前驱体,并将前驱体在800℃下空气中焙烧2 h得到附载CeO2的高纯纳米γ-Al2O3.样品经X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面积(BET)、化学成分和杂质含量分析,结果表明:合成的粉末为由γ-Al2O3和CeO2组成的混合物相,两者均属立方晶系,其中γ-Al2O3空间群为O7H-FD3M,CeO2空间群为Fm3m;晶粒平均粒径为15.7 nm,颗粒平均粒径约60～80 nm,粒子呈类球形,比表面积为159.01 m2·g-1;粒子纯度不低于99.97%,CeO2含量为24.22%.红外光谱(IR)测试结果显示,有Al-O-Ce键生成,表明CeO2与Al2O3并非简单混合.进一步通过对其悬浮液体系Zeta电位和吸光度的测定,研究了不同pH值条件、分散剂种类和用量以及氧化剂对其悬浮液分散稳定性的影响;采用超声波分散法,选择硝酸、氢氧化钾溶液作为pH调节剂,异丙醇胺作为分散剂,过氧化氢作为氧化剂,成功制备了长期存放不沉降的附载CeO2的纳米γ-Al2O3CMP浆料,确定了配制的优化工艺条件.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
纳米γ-Al2O3
,
CeO2
,
CMP
,
分散稳定
,
稀土
王志斌
,
吴传超
,
安永泉
,
赵同林
,
解琨阳
,
刘顺
人工晶体学报
晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.
关键词:
定偏心
,
CMP
,
轨迹方程
,
均匀性
王文博
,
王晓慧
,
黄苒
,
欧毅
,
杜寰
,
夏洋
,
韩郑生
,
冯亚云
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021
介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.
关键词:
LCOS
,
微显示
,
CMP
,
镜面电极
Xiufang CHEN
材料科学技术（英文）
Three main machining processes of large-diameter 6H-SiC wafers were introduced in this paper. These processes include cutting, lapping and polishing. Lapping causes great residual stresses and deep damage layer which can be reduced gradually with subsequent polishing processes. Surfaces prepared by mechanical polishing (MP) appeared a large number of scratches with depth of 5~8 nm. These scratches can be effectively removed by chemo-mechanical polishing (CMP). After CMP, extremely smooth and low damage layer surface with roughness Ra=0.3 nm was obtained. Atomic force microscopy (AFM) and optical microscopy were used to observe the surface morphology of samples and a high resolution X-ray diffractometer (HRXRD) was used for the crystal lattice perfection of the subsurface region. Changes of surface residual stresses during machining processes were investigated by HRXRD.
关键词:
6H-SiC
,
MP
,
CMP
,
roughness
