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  • 论文(24)

低亚表面损伤的YCOB晶体超精密抛光

朱杰 , 张志萌 , 马爽

人工晶体学报

通过选择合适的研磨剂、抛光垫以及抛光材料,采用机械抛光与CMP抛光相结合的方法对应用于高激光损伤阈值的薄膜基体材料YCOB晶体进行表面加工.通过优化研磨抛光工艺后得到超光滑晶体表面,样品表面在125μm×94μm的范围内粗糙度RMS值达到0.6 nm,同时具有非常低的亚表面损伤层,经过超声清洗和有机...

关键词: 亚表面 , YCOB , 抛光 , CMP

磨料粒度对雾化施液CMP抛光速率的影响及机理研究

王陈 , 李庆忠 , 朱仌

人工晶体学报

针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大...

关键词: 超声波 , 雾化施液 , CMP , 磨料粒径 , 材料去除率

化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响

贾少华 , 刘玉岭 , 王辰伟 , 闫辰奇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.047

采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化.通过实验得到了碱性条件下抛光速率较高、粗糙度较小的最佳pH值.研究了等质量...

关键词: 蓝宝石 , CMP , 活性剂 , 分散度 , 温度

90nm工艺互连线CMP金属厚度偏离统计学分析

周磊 , 蒋立飞 , 孙玲玲

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.012

亚100纳米工艺下CMP在铜双大马士革工艺中导致的金属厚度偏离对互连线信号完整性具有严重影响.为实现90纳米工艺下互连线精确仿真,本文提出了一种新的互连线分析算法.该方法通过估计寄生参数分布的均值和方差,实现了金属厚度偏离对互连线性能影响的统计学分析.TCAD工艺仿真试验表明该方法可有效实现对90纳...

关键词: CMP , 互连线 , 统计学分析

附载CeO2的纳米γ-Al2O3合成及其悬浮液的分散稳定研究

宋晓岚 , 王海波 , 吴雪兰 , 曲鹏 , 邱冠周

中国稀土学报

以异丙醇铝和六水硝酸亚铈为铈源和铝源,采用溶胶-凝胶法制备了前驱体,并将前驱体在800℃下空气中焙烧2 h得到附载CeO2的高纯纳米γ-Al2O3.样品经X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、比表面积(BET)、化学成分和杂质含量分析,结果表明:合成的粉末为由γ-Al2O3和CeO2组成的混合物...

关键词: 溶胶-凝胶法 , 纳米γ-Al2O3 , CeO2 , CMP , 分散稳定 , 稀土

去除存储器硬盘基片CMP后表面污染物的新方法

李薇薇

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.03.023

提出了硬盘在化学机械全局平整化加工(CMP)过程中污染物颗粒吸附在表面的机理,通过分析清洗中的润湿作用、分散作用、渗透作用和螯合作用,确定了清洗剂的主要成分,分析了聚醚类活性剂的特点,确定了清洗剂中各成分的最佳配比.采用该方法能够有效去除硬盘CMP后表面的污染物,达到硬盘加工的工艺要求.

关键词: 硬盘 , 聚醚类活性剂 , CMP , 污染物 , 清洗

晶体的定偏心平面CMP均匀性研究

王志斌 , 吴传超 , 安永泉 , 赵同林 , 解琨阳 , 刘顺

人工晶体学报

晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方...

关键词: 定偏心 , CMP , 轨迹方程 , 均匀性

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

王文博 , 王晓慧 , 黄苒 , 欧毅 , 杜寰 , 夏洋 , 韩郑生 , 冯亚云 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果...

关键词: LCOS , 微显示 , CMP , 镜面电极

Fine machining of large-diameter 6H-SiC wafers

Xiufang CHEN

材料科学技术(英文)

Three main machining processes of large-diameter 6H-SiC wafers were introduced in this paper. These processes include cutting, lapping and polishing. Lapping causes great residual stresses and deep damage layer which can be reduced gradually with subsequent polishing processes. Surfaces prepared by ...

关键词: 6H-SiC , MP , CMP , roughness

CMP中薄膜厚度问题研究

王春 , 安伟

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.06.029

就目前CMP建模当中没有考虑到芯片表面的薄膜氧化所需时间对模型建立所产生的影响,以至最后模型的预测结果与试验结果相差甚多的问题进行探讨.在基于理论分析的基础上提出以椭偏仪法测定出芯片表面薄膜生成厚度与浸泡时间精确的对应关系.试验结果表明:在模型建立时,芯片表面薄膜厚度的生成时间对模型的建立有着重要影...

关键词: CMP , 薄膜厚度 , 椭偏仪法

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