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不同形态SiO2改性钙硅硼系微晶玻璃结构与性能

杨春花 , 周洪庆 , 刘敏 , 吕安国 , 朱海奎 , 沈朝忠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.023

分别研究了高硅氧玻璃(96wt%SiO2,非晶态)与二氧化硅(99wt%,石英相)的添加对CaO-SiO2-B2O3(CSB)微晶玻璃微观结构、烧结性能以及介电性能的影响.结果表明:不同形态SiO2的添加均可以有效地降低介电常数,同时高硅氧玻璃的引入增加了试样的介电损耗.添加15wt%SiO2、850℃低温烧结试样,在10MHz下,介电常数为6.01,介电损耗1.2 × 10-3,且在5~40MHz频率范围内,介电常数随频率的变化不大.烧结试样的主要晶相为Quartz、CaSiO3和CaB2O4.

关键词: CSB玻璃 , 高硅氧玻璃 , SiO2 , 烧结性能 , 介电性能

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