常麟
,
周旗钢
,
戴小林
,
鲁进军
,
卢立延
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.021
利用有限元分析软件对φ300mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律.随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低.随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔...
关键词:
直拉硅单晶
,
CUSP磁场
,
氧浓度
,
有限元分析
,
数值模拟
