任丙彦
,
李洪源
,
张燕
,
张兵
,
郭贝
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.02.007
对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计, 建立了不同条件下的理论模型, 采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响, 为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据.
关键词:
CZSi
,
热场
,
有限元
,
双加热器
,
热对流
郝秋艳
,
乔治
,
张建峰
,
任丙彦
,
李养贤
,
刘彩池
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.011
本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.
关键词:
CZSi
,
原生微缺陷
,
流动图形缺陷
,
原子力显微镜
,
快速退火
任丙彦
,
张志成
,
刘彩池
,
郝秋艳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.03.014
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低.
关键词:
CZSi
,
氧含量
,
热场分布
,
热对流
,
数值模拟
