唐婧婧
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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黄巍
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刘维佳
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张聪
人工晶体学报
采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
退火
,
红外透过率
,
光学均匀性
黄巍
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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李佳伟
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虞游
人工晶体学报
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
化学腐蚀剂
,
蚀坑形貌
,
缺陷分析
李佳伟
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朱世富
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
,
黄巍
稀有金属材料与工程
介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法.运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角.(ψ)=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
定向加工
,
晶体标准极图
,
X射线衍射
甄珍
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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黄巍
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蒲云肖
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钟义凯
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150232
采用 WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿 CdGeAs2晶体在320~620 K 温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs2晶体的晶格常数(a, c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a, Cd-As 键长(lCd?As)和 Ge-As 键长(lGe?As)以及相应的热膨胀系数αCd?As和αGe?As。结果表明, a、c、δ、lCd?As、lGe?As和αCd?As均随着温度的升高而增大, c/a和?Ge?As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd?As是αGe?As的6.36倍,是造成CdGeAs2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
关键词:
CdGeAs2晶体
,
热膨胀
,
四方畸变
