于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
严文
,
朱长纯
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.07.020
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长.借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响.结果表明:外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生长;但是,低温区获得的CdS纳米带和纳米管没有任何方向性.
关键词:
CdS纳米线
,
纳米带
,
纳米管
,
外加电场
施维林
,
马锡英
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.017
近年来,由于具有双螺旋补偿结构,DNA分子作为智能模版被广泛应用于设计棒状或管状类的纳米结构.本文报道了应用DNA双螺旋模版将CdS纳米粒子自组装为CdS纳米线.制备的CdS纳米线由几根纳米线紧密缠绕在一起,也呈螺旋形结构,该结构在无机材料中是很少见的.该结构形成的主要原因归功于CdS纳米粒子和DNA分子间的强烈静电互作用,由于含自由基的CdS纳米粒子带负电荷,而氨基的DNA核酸根带正电荷.研究结果表明应用DNA模版制备纳米线是一种简便、高效的技术和方法.同时,DNA模版法也为从底上制备纳米级的材料和物体提供了广阔的空间.
关键词:
自组装
,
CdS纳米线
,
DNA模版
符秀丽
,
唐为华
稀有金属材料与工程
采用直接热蒸发CdS粉末的方法,在不同的生长条件下制备出CdS纳米线和纳米带材料并对其形貌、结构和光学性质进行了研究.CdS纳米线具有单晶结构,且生长方向具有择优取向,而其纳米带不具有上述结构特征.光致发光光谱研究发现,室温下纳米线只在508 nm出现了CdS的本征发射带.然而,纳米带存在2个明显的发光峰,中心峰位分别位于513 nm和756 nm.这2个发射峰可分别指认为CdS的本征发射和V_s~+空位引起的发射.
关键词:
CdS纳米线
,
CdS纳米带
,
光学性质
