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郝彦忠 , 殷志刚
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.007
采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IP.CE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.
关键词: CdSe纳米棒 , 光电化学 , CdSe/PMeT复合膜电极
无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00413
采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.
关键词: CdSe纳米棒 , photoelectrochemistry , CdSe/PMeT composite film electrode
