王宏智
,
卢敬
,
姚素薇
,
张卫国
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.001
以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理.在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征.扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致.X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型.光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5h后,CdSe纳米线的降解率达94.29％,强于CdSe薄膜(52.03％).
关键词:
AAO
,
CdSe纳米线
,
电沉积
,
光电响应
,
光催化
曾云
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苏轶坤
,
吴喜明
,
汤皎宁
稀有金属材料与工程
利用恒电位沉积方法,在阳极氧化铝(AAO)模板里沉积了CdSe纳米线.对其进行了结构和光学性质的表征,并且用循环伏安法讨论了其沉积机理.结果表明:室温下,0.1 mol·L-1CdSO4+ 0.25 mol·L-1H2SO4+ 50 mmol·L-1 SeO2配比的溶液,0.4 V恒电位沉积,在AAO模板中制备出了CdSe纳米线.EDS的结果表明Cd和Se的化学计量比接近于1∶1；通过XRD确定了所沉积的CdSe为面心立方结构,其择优取向为(111)晶面.紫外可见分光光度计吸收光谱表明其吸收范围在400～700 nm,吸收最大处在500 nm,PL发射谱表明CdSe纳米线的发光峰在400 nm左右.
关键词:
电沉积
,
半导体
,
CdSe纳米线
