曾体贤
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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卢大洲
人工晶体学报
对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究.根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5～10.0 μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法.结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数d_(eff)为d_(15)sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数d_(eff)恒等于0,无倍频输出.根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6 μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件, 尺寸达9.5 mm×9.5 mm×18 mm.
关键词:
CdSe晶体
,
相位匹配
,
单晶定向
,
元件加工
张春丽
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吴海信
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倪友保
,
黄昌保
,
王振友
,
陈诗静
人工晶体学报
采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为?15 mm ×35 mm的完整CdSe单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,CdSe单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°；Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比；晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T >65%,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。
关键词:
气相升华法
,
晶体生长
,
CdSe晶体
,
性能检测
杨辉
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张志勇
,
冯志伟
,
熊祝韵
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曾体贤
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168
本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体.解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面.然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3 mm3的CdSe中红外波片初胚.以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理.结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2～20μm波段透过率较高(达到70 ％),满足中红外波片的应用需求.
关键词:
硒化镉晶体
,
中红外波片
,
化学机械抛光
