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氧化铈掺杂SrCoO3-δ的结构与电导性能

魏楸桐 , 郭瑞松 , 王凤华 , 陈玉如 , 刘文西

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.02.011

采用固相反应法合成了Sr1-xCexCoO3-δ(x=0.05~0.2)阴极材料,并研究了其结构和电导性能.XRD图谱表明SrCoO3-δ体系中CeO2固溶量为10%~15%(质量分数),且随着氧化铈含量的增加体系稳定性略有降低,晶胞出现收缩.当氧化铈的掺杂量为15%时的电导率高于其它固溶量的组分,在350~400℃达到最高值,超过了500S/cm,满足了作为低温SOFC阴极材料的电学性能的要求.

关键词: SrCoO3-δ阴极材料 , CeO2掺杂 , 固相反应 , 相结构 , 电导率

CeO2掺杂TiO2光催化剂的性能研究

奚丽荷 , 江海军 , 朱忠其 , 张瑾 , 柳清菊

功能材料

采用液相合成法制备CeO2掺杂TiO2光催化粉体,利用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、FT-IR傅里叶变换红外光谱仪等对粉体的晶相组成、光谱吸收性能进行了表征,结果表明,掺杂后的TiO2经800℃热处理后仍呈锐钛矿型;CeO2/TiO2吸收光谱的阈值波长发生红移,但Ce掺杂浓度的增大对粉体的可见光吸收影响不大.光催化降解甲醛的结果表明,粉体在普通日光灯下对甲醛气体的降解率明显优于P25.

关键词: 光催化 , TiO2 , CeO2掺杂 , 甲醛降解

掺杂对氧化钛薄膜光学性能的影响

李云 , 王六定

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.07.004

采用电子束蒸发法制备掺杂铈的TiO2薄膜,研究掺杂铈对TiO2薄膜的折射率、透射率和禁带宽度的影响.实验发现适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率;并使氧化钛薄膜的禁带宽度Eg从3.27eV减小到2.51eV,从而使光本征吸收边从380nm红移到495nm,大大提高了对太阳光的利用能力.

关键词: 电子束蒸发 , TiO2薄膜 , CeO2掺杂 , 折射率 , 禁带宽度

CeO2掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响

张龙娟 , 杨万民 , 杨志娟 , 智鑫 , 高瑞峰

低温物理学报

本文采用顶部籽晶熔融织构方法(TSMTG),分别制备出了直径为17mm的掺杂和未掺杂CeO2的单畴GdBCO超导块材,其中样品中CeO2的掺杂量为1wt%,并且研究了CeO2的掺杂对样品形貌、微观结构、磁悬浮力、以及捕获磁通的影响.研究表明了CeO2的掺杂影响超导块材的生长速率,在微观形貌上,CeO2的掺杂使样品中Gd2BaCuO5 (Gd211)粒子的分布更加均匀且粒度明显变小,其平均粒径约从原来未掺杂的5.49μm减小到1.32μm,并且块材中的气孔也明显减小,从而使样品的磁悬浮力从23.06N增加到31.42N,捕获磁通从0.288T增加到0.354T.这对进一步提高超导块材的性能具有重要的指导意义.

关键词: 单畴GdBCO超导块材 , 顶部籽晶熔融织构 , CeO2掺杂 , 磁悬浮力 , 捕获磁通

CeO2掺杂钛酸铋钠钾陶瓷的制备工艺与介电性能

马武祥 , 杜慧玲 , 郝星辰

硅酸盐通报

为了进一步探索合成工艺对钛酸铋钠系无铅材料的结构及介电特性的影响,本文以甘氨酸为燃料,利用固相-燃烧法制备了CeO2掺杂的Bi0.5Na0.5TiO3-Bi0.5K0.5TiO3 (BNKT)陶瓷.XRD表明,在固相合成工艺中引入燃烧法制备BNKT陶瓷,比传统固相法降低预烧温度150 ℃,掺杂的CeO2扩散进入了BNKT钙钛矿的晶格,且当掺杂量为0%~0.3%时,形成纯的钙钛矿相结构;SEM表明,CeO2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,对晶粒生长有抑制作用;介电温谱表明,随着CeO2掺杂量增加,介电常数εr和退极化温度Td、相转变温度Tm降低,介电反常峰逐渐弱化,且室温至300 ℃,介电损耗tanδ始终在0.3%以下,并从微结构缺陷空位形成机制角度,结合铁电畴壁运动状态,分析讨论了对材料介电特性的作用规律.

关键词: BNKT , CeO2掺杂 , 固相-燃烧法 , 结构 , 介电性能

CeO2掺杂TiO2催化剂薄膜的制备与表征

郑树凯 , 潘锋 , 王金良 , 郝维昌 , 张俊英 , 王天民

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2003.11.006

以Ar为工作气体,O2为反应气体,利用射频磁控溅射技术成功地在载玻片上沉积了透明TiO2催化剂薄膜.同时利用共溅射技术制备了掺杂CeO2的TiO2催化剂薄膜.采用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、UV-VIS-NIR分光光度计、原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构和形貌表征.

关键词: TiO2薄膜 , CeO2掺杂 , 共溅射

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