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第二步沉积速率和钠掺杂对低温生长铜铟镓硒薄膜结构及电阻率的影响

林璠 , 孔慧

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201601002

首先采用热蒸发法在镀钼的 PI 衬底上沉积 NaF 薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积 NaF 的 PI 衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对 CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明：随着第二步沉积速率增大,CIGSe 薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204...

关键词: 铜铟镓硒薄膜 , 沉积速率 , 钠掺杂 , 低温生长