张伟
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陈顺礼
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汪渊
功能材料
利用射频（RF）磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射（XRD）结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有（111）择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。
关键词:
Cu2SnSe3薄膜
,
Cu/Sn比率
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硒化
,
物理性质
