翟艳男
,
杨坤
,
张晖
,
汤艳坤
,
张丽丽
稀有金属材料与工程
在不同的衬底偏压下,用射频反应磁控溅射的方法在Si (100)衬底和Cu膜间制备了ZrN/Zr/ZrN堆栈结构的阻挡层.研究了Zr层的插入对ZrN扩散阻挡性能的影响,结果表明:随着衬底偏压的升高,阻挡层的电阻率降低,ZrN呈(111)择优取向;Zr层的插入使ZrN阻挡层的失效温度至少提高100℃,7...
关键词:
ZrN/Zr/ZrN膜
,
扩散阻挡层
,
Cu互连
,
射频反应磁控溅射
张宏森
,
丁明惠
,
张丽丽
,
蒋保江
材料科学与工程学报
用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si(100)衬底和Cu膜间制备了30nm 的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射方式对NbN薄膜扩散阻挡性能的影响响退火前XRD结果表明,直流溅射制备的NbN...
关键词:
NbN薄膜
,
扩散阻挡层
,
Cu互连
,
磁控溅射
陈海波
,
周继承
,
李幼真
材料导报
简要介绍了集成电路的发展趋势及其带来的相关问题和解决办法.综述了国内外对Cu互连扩散阻挡层的制备方法与工艺、阻挡层的选材、阻挡层薄膜的特性等最新研究的进展.评述了该领域的发展趋势及可能的影响因素.
关键词:
集成电路
,
Cu互连
,
扩散挡层
,
阻挡性能
任国强
,
邢金柱
,
李晓红
,
郭建新
,
代秀红
,
杨保柱
,
赵庆勋
功能材料
应用射频磁控溅射法在（001）Si衬底上制备了Cu（120nm）/Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）/Si异质结,借助原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和四探针测试仪（FPP）等方法研究了Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/T...
关键词:
Cu互连
,
阻挡层
,
Ta/Ti-Al
,
射频磁控溅射
丁明惠
,
张宏森
,
张丽丽
,
王颖
功能材料
在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响.沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大...
关键词:
Zr-N薄膜
,
扩散阻挡层
,
Cu互连
,
射频反应磁控溅射
李幼真
,
周继承
,
陈海波
,
黄迪辉
,
刘正
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.007
超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层.本文采用直流磁控反应溅射在N2/Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-N/基底复合结构,对部分样品在N2保护下进行了快速热处理(RTA),采用台阶仪、四探针测试仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜、X射线...
关键词:
Cu互连
,
Ta-N阻挡层
,
氮分压
,
失效机制
丁明惠
,
张丽丽
,
盖登宇
,
王颖
功能材料
用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层,Cu/Zr-N/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射参数对Zr-N薄膜电阻率和扩散阻挡性能的影响.实验结果表明,N2分压从20%增加到...
关键词:
Zr-N纳米晶
,
扩散阻挡层
,
Cu互连
,
射频反应磁控溅射
