范平
,
易葵
,
邵建达
,
齐红基
,
范正修
中国有色金属学报
采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜和Cu膜,利用四电极法测量了薄膜的电阻率,从而得到了Co膜和Cu膜的电导率随薄膜厚度的变化关系. 实验结果表明,Co膜和Cu膜的电学特性都具有明显的尺寸效应. 比较了同时考虑表面散射和晶界散射的电导理论得到的电导率公式与实验结果,不同薄膜厚度电导率的理论结果与实验结果符合较好. 提出了厚度作为金属薄膜生长从不连续膜进入连续膜的一个特征判据, 并利用原子力显微镜(AFM)观测了膜厚在特征厚度附近的Co膜和Cu膜的表面形貌.
关键词:
Co薄膜
,
Cu薄膜
,
金属材料
,
电学特性
张迪
,
程伟明
,
林更其
,
杨晓非
材料导报
使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构.实验结果表明:当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405 nm、溅射功率为150～300 W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层.
关键词:
射频磁控溅射
,
SmCo5
,
垂直磁化膜
,
Cu薄膜
王炫力
,
陈冷
人工晶体学报
用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较.结果表明:基底温度升高或沉积原子数增加时,沉积在基底上的原子逐步由众多各自独立的离散型分布向聚集状态过渡形成团簇,并且温度越低,团簇越趋于分散生长.当最大迁移步数减小或相互作用范围增大时,团簇亦趋于分散生长.
关键词:
KLMC模型
,
薄膜生长过程
,
表面形貌
,
Cu薄膜
赵新清
,
柳百新
金属学报
研究了用强流金属蒸汽弧离子源（ＭＥＶＶＡ源）注入Ｃｒ对Ｃｕ薄膜的抗氧化性能、导电性能和氧化特征的影响. 利用Ｘ射线衍射、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射和扫描电镜 离子注入前后氧化物结构和氧化物形态演变. 结果表明, 在薄膜的表面层注入一定剂量的Ｃｒ能有效地改善Ｃｕ薄膜的抗氧化性能, 而对薄膜的电导性能无显著影响；离子注入显著影响薄膜表面氧化铜的结构和形态. 探讨了离子注入对氧化铜结构和形态的影响机理.
关键词:
Cu薄膜
,
null
,
null
,
null
李玮
,
陈冷
材料研究学报
用磁控溅射法制备无种子层的Cu薄膜和加入Ti作为种子层的Ti/Cu薄膜,用电子背散射衍射技术(EBSD)研究了无种子层的Cu薄膜及有Ti种子层的Ti/Cu薄膜的微观织构,并用原子力显微镜(AFM)观察了两种薄膜的表面形貌.结果表明,加入Ti作为种子层增强了Cu薄膜的{111}纤维织构,对薄膜生长有很好的外延作用.同时,加入Ti种子层可降低退火处理后薄膜内退火孪晶的产生几率,但是在退火过程中使孔洞出现.
关键词:
金属材料
,
Cu薄膜
,
Ti种子层
,
织构
,
表面形貌
胡云钦
,
邱林俊
,
代波
,
魏贤华
,
任勇
,
葛妮娜
,
龙震
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.12.025
采用直流磁控溅射法在不同溅射功率和工作气压条件下沉积 Cu 薄膜,对其进行 X射线衍射、原子力显微镜、电阻率测试,分析了工艺参数对 Cu 薄膜的沉积速率、微观结构和电阻率的影响。通过紫外光刻技术将Cu薄膜制成桥箔,采用电爆测试平台获得Cu桥箔的电爆参数,研究了Cu薄膜的晶粒尺寸、择优取向对其电爆性能的影响。结果表明：随溅射功率的增大,Cu薄膜的沉积速率增加、晶粒尺寸增大、Cu(111)晶面择优取向特性变差,且电阻率降低；随溅射工作气压增大,Cu薄膜的沉积速率降低、晶粒尺寸减小、Cu(111)晶面择优取向越明显,且电阻率增加。对于相同桥区参数的 Cu 桥箔,晶粒尺寸越小,其爆发时刻就越早；Cu (111)晶面择优取向越明显,其爆发电流和峰值功率就会越大。
关键词:
Cu薄膜
,
磁控溅射
,
桥箔
,
电爆性能
