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Cu7In3前驱膜制备(112)择优取向CuInS2薄膜

阎有花 , 刘迎春 , 方玲 , 赵海花 , 李德仁 , 卢志超 , 周少雄

物理测试

为考察具有Cu7In3相结构的CuIn前驱膜对CuInS2薄膜微结构的影响，采用电沉积法制备了CuIn薄膜，并对制备态CuIn薄膜在380 ℃进行真空退火处理制备Cu7In3前驱膜。采用硫化法对制备态CuIn薄膜和Cu7In3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成CuxS偏析相，经KCN刻蚀处理发现以Cu7In3为前驱膜制备的CuInS2薄膜高质量结晶，具有(112)择优取向，适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。

关键词: 太阳电池 , CuIn precursor , CuInS2 thin film , Cu7In3 phase , KCN etching