郭巍巍
,
齐成军
,
李小武
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00572
在不同塑性应变幅下对共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和, 然后在不同温度下进行退火处理, 考察了其位错结构的热稳定性. 结果表明, 300 ℃退火处理后, 位错结构发生了明显的回复; 500和800 ℃退火处理后, 均发生了明显的再结晶现象, 并伴随退火孪晶的形成. 不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错结构, 其热稳定性由高到低依次为: 脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构. 不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展, 疲劳后的滑移变形程度越高, 退火后形成的孪晶数量则越多. 但过高的退火温度(如800 ℃)会加快再结晶晶界的迁移速率, 进而抑制孪晶的形成, 致使孪晶数量有所减少.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳位错结构
,
热稳定性
,
晶体取向
,
再结晶
,
退火孪晶
郭巍巍
,
齐成军
,
李小武
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00572
在不同塑性应变幅下对[223]共轭双滑移和[017]临界双滑移取向Cu单晶体进行疲劳实验直至循环饱和,然后在不同温度下进行退火处理,考察了其位错结构的热稳定性.结果表明,300℃退火处理后,位错结构发生了明显的回复;500和800℃退火处理后,均发生了明显的再结晶现象,并伴随退火孪晶的形成.不同取向Cu单晶体循环变形后形成不同的位错结构,其热稳定性由高到低依次为:脉络结构、驻留滑移带(PSB)结构、迷宫或胞结构.不同取向疲劳变形Cu单晶体中形成的退火孪晶均沿着疲劳后开动的滑移面方向发展,疲劳后的滑移变形程度越高,退火后形成的孪晶数量则越多.但过高的退火温度(如800℃)会加快再结晶晶界的迁移速率,进而抑制孪晶的形成,致使孪晶数量有所减少.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳位错结构
,
热稳定性
,
晶体取向
,
再结晶
,
退火孪晶
朱荣
,
李守新
,
李勇
,
李明扬
,
晁月盛
金属学报
=[刊，中]///金属学报.¾2004,40(5).¾
在循环加载条件下, 单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL), 然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB). 在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理, 观察PSB结构在热激活条件下的变化情况. 结果表明, 退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动, 并使PSB的某些部位逐步细化, 以至消失. 实现了PSB的分段相消. 在退火过程中由于应变能的逐步释放, 未观察到再
关键词:
Cu单晶体
,
persistent slip line (PSL)
,
persistent slip band (PSB)
