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沉淀法制备纳米复合Cu-CeO2阴极

张秋利 , 杨志懋 , 丁秉钧 , 李国平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.05.025

采用沉淀法制备出平均粒径约90 nm的Cu-CeO2粉末.将所得的纳米复合Cu-CeO2粉末经真空热压工艺处理制成纳米复合Cu-CeO2阴极.利用SEM及XRD分析方法对其显微组织进行了研究,结果显示:用沉淀法制备的Cu-CeO2阴极组织较均匀,CeO2粒子晶粒大多在100 nm,呈长圆状分布在Cu基体中.真空电弧实验研究表明纳米复合Cu-CeO2阴极击穿点分布在阴极表面的大部分面积上,阴极斑点细小分散,且击穿优先发生在CeO2相上,导致表面烧蚀较常规材料轻微.

关键词: 沉淀法 , Cu-CeO2阴极 , 纳米复合材料

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