王延来
,
聂洪波
,
果世驹
,
王义民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.014
采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜.分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成.结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率;超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu,In以及Cu-In合金薄膜;两步法中超声电沉积得到的双层膜为CuIn和Cu或In相,经过热处理后转变为Cu11In9和Cu或In相;一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相,根据Cu/In比率的不同,还会含有少量的Cu11In9或In相.
关键词:
超声电沉积
,
Cu-In合金膜
,
表面形貌
,
Cu/In比率
李健
,
朱洁
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.06.019
以金属Ti为阳极,不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极,采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1:1、厚度为1μm且致密均匀的Cu-In薄膜.分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响.在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下,采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时,薄膜形貌、成分无差别,且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用.此外,在镀液离子低浓度范围内,及Cu/In离子浓度比不变的前提下,镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌;十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂,能改善薄膜形貌,使其表面均匀、规整.由该方法制备的Cu-In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜.
关键词:
Cu-In合金膜
,
电沉积
,
表面形貌
,
合金成分
李健
,
朱洁
金属学报
以金属Ti为阳极, 不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极, 采用恒电流电沉积的方法制备了
化学计量比为1∶1、厚度为1 um且致密均匀的Cu-In薄膜. 分析了镀液离子浓
度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响. 在除电流密度
外其它工艺条件相同的情况下, 采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时, 薄膜形
貌、成分无差别, 且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用. 此外,
在镀液离子低浓度范围内, 及Cu/In离子浓度比不变的前提下, 镀液中金属离子总浓度的
改变不会影响镀层的成分和形貌; 十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助
添加剂, 能改善薄膜形貌, 使其表面均匀、规整. 由该方法制备的Cu-In预置膜可以
进一步硒化得到理想的CuInSe 2薄膜.
关键词:
Cu-In合金膜
,
electrodeposition
,
surface morphology
