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恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜的研究

李健 , 朱洁

金属学报

以金属Ti为阳极, 不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极, 采用恒电流电沉积的方法制备了 化学计量比为1∶1、厚度为1 um且致密均匀的Cu-In薄膜. 分析了镀液离子浓 度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响. 在除电流密度 外其它工艺条件相同的情况下, 采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时, 薄膜形 貌、成分无差别, 且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用. 此外, 在镀液离子低浓度范围内, 及Cu/In离子浓度比不变的前提下, 镀液中金属离子总浓度的 改变不会影响镀层的成分和形貌; 十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助 添加剂, 能改善薄膜形貌, 使其表面均匀、规整. 由该方法制备的Cu-In预置膜可以 进一步硒化得到理想的CuInSe 2薄膜.

关键词: Cu-In合金膜 , electrodeposition , surface morphology

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