黄赛佳
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侯雨轩
,
侍宇雨
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王志姣
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杨柳青
,
杨建波
,
李兴鳌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.011
利用磁控溅射法成功制备了 V 掺杂Cu3 N薄膜.XRD 显示随着 V 掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变.SEM 结果表明向Cu3 N薄膜中掺入 V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化.从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度 V 对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善.
关键词:
Cu3N
,
V 掺杂
,
磁控溅射
,
反射率
,
电阻率
