任洋
,
赵高扬
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李颖
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章晨曦
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高贇
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刘灵军
材料热处理学报
采用溶胶凝胶法,通过控制热处理气氛在石英玻璃基片上制备了光电性能优良的CuAlO2薄膜,研究了氧气和氮气对CuAlO2薄膜制备的影响.结果表明,CuAlO2薄膜的制备先后经历了凝胶膜的热分解、无定形薄膜、固相反应、CuAlO2形核与长大4个过程.固相反应阶段前通氧气,能够促进中间产物CuO的生成,之后通氮气可以使中间产物CuO与CuAl2O4发生固相反应生成CuAlO2,最终制备的CuAlO2薄膜结晶状况良好、晶粒较大,表面均匀致密,没有孔洞,电阻率为250 Ω·cm,薄膜在700 nm处的透过率为75.5％.
关键词:
CuAlO2
,
薄膜
,
热处理
,
气氛
,
溶胶凝胶
麦海翔
,
谢致薇
,
徐继承
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胡典禄
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杨元政
,
陈先朝
,
何玉定
功能材料
doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.17
采用柠檬酸络合的无机盐溶胶‐凝胶法制备稀土掺杂铜铁矿结构的CuAlO2粉末，掺杂元素M 为稀土Eu、Nd、Y。用DSC‐TGA、X射线衍射仪、紫外‐可见光分光光度计等测试方法分别对掺杂 CuAl1－ x M x O2粉末的形成过程、物相结构、光学性能等进行研究。结果表明，稀土掺杂前驱体粉末经950℃煅烧后形成CuAlO2相；经1100℃保温4 h的煅烧后，粉末相组成取决于稀土掺杂量，当稀土元素M （Eu、Nd和Y）的掺杂量为0．5％时，试样由CuAlO2主相和少量CuO杂相组成，当掺杂量≥1％时，由CuAlO2主相、少量CuO 和 M AlO3杂相组成，YAlO3杂相峰强度较低。提高煅烧温度有利于掺杂元素的溶入，生成CuAl1－ x M x O2纯相，但提高到1150℃时CuAlO2分解；Eu掺杂量＜1％时，掺杂样品光学带隙增大，电阻率减小，光电性能得到改善。
关键词:
CuAlO2
,
稀土掺杂
,
相结构
,
光电性能
麦海翔
,
梁毅枫
,
梁守智
,
王夫
,
胡典禄
,
谢致薇
,
杨元政
材料科学与工程学报
本文采用柠檬酸络合无机盐的溶胶凝胶法制备CuAlO2粉末.通过差热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜观测、紫外—可见光分光光度测试等分析方法,研究PVA添加剂、湿磨、球磨等工艺参数以及稀土元素Eu和普通金属Mg的掺杂对CuAlO2纳米粉末的制备及相结构和等性能的影响.结果表明,在不掺杂的情况下,添加PVA使粉末粒径均匀分布在10～20μm;球磨、湿磨处理预煅烧粉末可降低CuAlO2的形成温度,经1000℃煅烧后可获得纯相CuAlO2粉末,其粒度分别为5～15μm和5～10μm.Eu和Mg的最佳掺杂量分别为1％和5％;粉末未掺杂时光学带隙约为3.6eV,掺杂后其光学带隙有所减小,但仍对可见光透明.
关键词:
CuAlO2
,
PVA添加剂
,
研磨
,
掺杂
,
相结构
方敏
,
丛宏林
,
江忠永
,
黄靖云
材料科学与工程学报
以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,X射线光电子能谱（XPS）,红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响。随着反应时间的增加,样品晶粒的粒径增大,而且晶粒变得均匀。XPS分析结果表明,当反应温度达到360℃,反应时间为12小时,反应产物中只有CuAlO相。
关键词:
CuAlO2
,
水热反应
,
X射线光电子能谱
,
红外光谱
王影
,
朱满康
,
马丙闯
,
侯育冬
,
程蕾
,
赵军
人工晶体学报
采用固相合成法制备CuAl1-xCrxO2陶瓷.通过XRD、XPS、电学阻抗谱和Hall效应等测试方法对陶瓷的物相结构、元素价态、电学性能等进行了研究.结果表明:所制备的样品的主要相组成是CuAlO2和Cu2O,同时,也有少量Cu2+存在.样品的电导率随Cr掺量的增加显示先增加(x=0～0.02)后减小(x=0.02 ～0.05)的趋势,其影响因素包括Cu离子价态和载流子迁移率.
关键词:
CuAlO2
,
阻抗谱
,
XPS
,
霍尔效应
钟焕周
,
刘远
,
宋晓英
,
谢致薇
,
杨元政
人工晶体学报
采用柠檬酸络合的无机盐溶胶-凝胶法,结合自蔓延燃烧制备出铜铁矿结构的CuAlO2粉末.用DSC -TGA、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等分析方法对CuAlO2的形成过程、物相结构、微观形貌等进行了研究.结果表明:形成CuAlO2相的温度在1092℃左右,在1100℃烧结2h可以得到铜铁矿结构CuAlO2纳米粉末,其粒径分布在50～200 nm之间.制备的样品为p型半导体,CuAlO2片的电阻率为45.5 Ω·cm；光学带隙增大,其值约为3.75 eV.
关键词:
CuAlO2
,
溶胶-凝胶法
,
p型导电
,
光学带隙
刘高斌
,
王新强
,
冯庆
,
何阿玲
,
马勇
,
赵兴强
,
杨晓红
功能材料
利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.
关键词:
透明导电膜
,
p型
,
CuAlO2
,
电子束蒸发
高善民
,
张江
,
王群
,
戴瑛
,
黄柏标
功能材料
采用新制备的Cu2O和Al(OH)3为反应原料,利用水热-分解法制备了p型半导体CuAlO2纳米晶.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱对其结构、形貌、表面组分和性能进行了表征分析,对反应机理进行了讨论.结果表明在水热条件下首先是Al(OH)3转化为γ-AlOOH,然后γ-AlOOH分解并与Cu2O反应生成CuAlO2纳米晶.确定了以Cu2O和Al(OH)3溶胶为反应原料,采用水热-分解法制备CuAlO2纳米晶的最佳反应条件.
关键词:
p型半导体
,
CuAlO2
,
水热-分解
,
纳米晶
赵旭光
,
唐政
材料导报
利用固态反应法合成了纯相的CuAlO2和过渡金属元素Co掺杂的CuAlO2样品.通过X射线衍射仪分析可知:未掺杂样品和1％(摩尔分数)Co掺杂的样品都是单相,其中没有CuO等杂相存在,而掺杂浓度分别为5％、10％和20％的样品中都出现了CuAlO2以外的杂相,这表明Co在CuAlO2粉体样品中的杂质固溶度一般低于5％.综合物性测试系统测得的与磁性有关数据表明:未掺杂及Co掺杂(1％)的纯相CuAlO2样品只具有顺磁性,而多相的Co掺杂样品从5～300K都没有表现出如第一性原理理论所预言的铁磁性,这说明样品中所掺入的Co离子只是具有局域磁矩的顺磁杂质中心,并不能形成长程的铁磁序,进一步表明基于第一性原理的理论计算可能高估了过渡金属磁性杂质在氧化物半导体这种关联体系中的铁磁耦合作用.
关键词:
CuAlO2
,
掺杂
,
磁性
