邓赞红
,
方晓东
,
陶汝华
,
董伟伟
,
周曙
,
孟钢
,
邵景珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00281
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜.在沉积激光能量100～180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后,所有薄膜均为高度c轴取向的单相CuAlO2薄膜,晶粒尺寸～49nm.随着沉积激光能量的增大,薄膜厚度增加,表面颗粒尺寸明显增大,在可见光区的平均透射率下降.室温光致发光谱发现,CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰,说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁,这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
CuAlO2薄膜
,
光学带隙
,
室温光致发光谱
李军
,
兰伟
,
张铭
,
董国波
,
严辉
材料导报
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域.但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用.CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点.介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望.
关键词:
透明导电氧化物(TCO)
,
p型TCO
,
CuAlO2薄膜
邓赞红
,
方晓东
,
陶汝华
,
董伟伟
,
周曙
,
孟钢
,
邵景珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00281
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜. 在沉积激光能量100~180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后, 所有薄膜均为高度 c 轴取向的单相CuAlO2薄膜, 晶粒尺寸~49nm. 随着沉积激光能量的增大, 薄膜厚度增加, 表面颗粒尺寸明显增大, 在可见光区的平均透射率下降. 室温光致发光谱发现, CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰, 说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁, 这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
CuAlO2 films
,
optical band energy
,
room-temperature photolumine scence spectra
