赵林
,
樊占国
,
秦高梧
功能材料
采用电化学的方法在半导体Si表面沉积了CuCo颗粒膜.研究了膜层电沉积过程中颗粒膜生长的显微结构及热处理过程颗粒膜元素的分布情况.经过450℃退火处理1h后Cu80Co20薄膜GMR达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降.面扫描元素分析和XRD分析表明经过退火处理膜层中出现Co粒子的析出,出现了局部富钴的区域.磁阻测量表明此时有利于提高膜层的GMR值.更高温度的退火处理使GMR值降低.磁性能测量发现随着退火温度的提高膜层的饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr也随着变大.
关键词:
电沉积
,
CuCo颗粒膜
,
巨磁电阻
,
退火温度
,
磁性能
赵林
,
樊占国
材料导报
采用电沉积的方法制备了CuCoNi三元颗粒膜,并测量其GMR和磁性能.研究发现添加适量的Ni有利于膜层中磁性颗粒的析出,添加过多的Ni反而降低膜层中磁性粒子的浓度.制备态样品中存在超顺磁性粒子,此时饱和磁化强度比未添加Ni高,而矫顽力低.真空退火处理使超顺磁性粒子转变为铁磁性粒子,提高了矫顽力.450℃处理膜层达到最佳结构,具有GMR最大值,更高退火温度会使膜层中形成三元合金相,降低了GMR效应.
关键词:
添加Ni
,
CuCo颗粒膜
,
巨磁电阻
,
磁性能
