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宽带隙n-型半导体CuIn5Se8的热电性能研究

周红 , 应鹏展 , 崔教林 , 王晶 , 高榆岚 , 李亚鹏 , 李奕沄

稀有金属材料与工程

利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1...

关键词: CuIn5Se8 , 宽带隙半导体 , 热电性能