欧铜钢
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谭艳芳
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王建兴
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周兆锋
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潘勇
材料导报
采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.
关键词:
电沉积
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Cu-In
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CuInse_2
,
硒化
