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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In₂O₃。主相分解为In₂O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

关键词: 直流磁控反应溅射 , ITO target , poisoning phenomenon

采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si（100）衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/（V.s）。

关键词: 磁控溅射 , β-FeSi2/Si异质结 , 输运性质

Mg 2 Si/Si异质结的制备及I-V特性研究?

王善兰 , 廖杨芳 , 吴宏仙 , 梁枫 , 杨云良 , 肖清泉 , 谢泉

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.09.017

采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2 Si/Si异质结.首先在 n-Si(111)衬底上沉积 Mg 膜，经热处理后得到Mg2 Si/Si异质结.利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪，研究了 Mg2 Si/Si 异质结的晶体结构、表面形貌、Mg2 Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型.结果表明，成功制备了Mg2 Si/Si 异质结，并得到其平均载流子浓度(－9．30×1012 cm－3)、导通电压(0．31 V)、导通电流(0．6 mA)、工作电压(0．53 V)等，测得该异质结为n-n型.

关键词: 磁控溅射 , Mg2Si/Si异质结 , I-V特性

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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

β-FeSi2/Si异质结的制备及性质研究

Mg 2 Si/Si异质结的制备及I-V特性研究?

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