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CdMoO4∶W6+晶体电子结构的模拟计算研究

严非男 , 王希恩 , 陈俊

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论的嵌入团簇离散变分方法,计算了CdMoO4∶W6+晶体的电子结构.计算结果显示,在CdMoO4∶W6+晶体的禁带内出现了W的5d施主能态,这说明CdMoO4晶体受激发后出现的峰值在550 nm(2.25ev)的发射带与晶体中的钨类施主离子有关,合理地解释了CdMoO4晶体在500～ 600 nm区间的发射带的起源.

关键词: CdMoO4∶W6+晶体 , DV-Xα , 发射带