黄延强
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(12)60587-7
采用溶胶-凝胶法制备了Co取代的Ba2MghCoxFe12O22(x=0.0～2.0)催化剂,并考察了其在高浓度N2O (30 vol％)分解反应中的催化活性.结果表明,Co的取代显著提高了Ba2Mg2Fe12O22催化剂活性,当x=2时,N2O的完全分解温度从1123 K降至973 K;提高催化剂焙烧温度会导致其表面积降低,进而降低其催化活性；但采用微波加热则能显著提高催化剂活性.
关键词:
一氧化二氮
,
分解
,
六铁酸盐
,
Ba2Mg2Fe12O22
,
钴
,
微波
新型炭材料
将由天然鳞片石墨合成的层间化合物和异丙醇钛盐一起加热,成功地制得了具有光催化特性的锐钛矿粉TiO2分散在膨化石墨间的复合材料.一些具有球形结构的TiO2微粒,优先分散于石墨层的边沿.对重油而言,这种材料呈现了它在紫外(UV)光辐照下的吸附和分解作用.吸附在分散有TiO2的膨化石墨上的重油能在UV辐照下分解掉,其分解速度远比重油中混合锐钛矿结构的TiO2粒子的场合快速得多.
关键词:
膨胀石墨
,
TiO2锐钛矿粉
,
重油
,
分解
刘金龙
,
田寒梅
,
陈良贤
,
魏俊俊
,
黑立富
,
李成明
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(16)60029-X
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时,纳米金刚石膜与GaN衬底呈现出大于10 N的结合力,可能与硅过渡层在金刚石生长过程中向SiC过渡层转变有关。
关键词:
氮化镓
,
硅过渡层
,
纳米金刚石膜
,
直接生长
,
分解
