苏学军
,
李岩
,
张金春
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.03.013
采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=400℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi2Ti2O7薄膜,较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大,在相同的退火温度下,生成43相还是22相取决于退火前薄膜材料的组分.
关键词:
MOCVD
,
XRD
,
快速退火
,
EDAX
朱基亮
,
朱建国
,
申林
,
潘宇
,
肖定全
功能材料
利用(Pb,La)TiO3陶瓷靶材,采用射频磁控溅射技术室温淀积,其后在600℃下退火,制备了PLT铁电薄膜.通过对薄膜进行XPS和EDAX分析,发现薄膜表面富钛.与利用其它工艺技术如多离子束反应共溅射、sol-gel等技术制备的PLT铁电薄膜进行对比可以看出,利用不同技术制备的铁电薄膜,具有不同的表面态.
关键词:
射频磁控溅射
,
(Pb,La)TiO3
,
铁电薄膜
,
EDAX
,
XPS
郭爱波
,
刘玉萍
,
陈枫
,
李斌
,
但敏
,
刘明海
,
胡希伟
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.06.002
鉴于ZnO薄膜材料的多功能性,用等离子体增强化学气相沉积方法在金属Cu和普通玻璃上生长了ZnO薄膜.扫描电子显微镜获得其表面形貌;能谱分析获得其元素种类及相对含量,在能谱图上明显地观察到了Zn峰和O峰的存在,且Cu基上Zn和O原子比接近1∶ 1;X射线光电子能谱分析得出样品中的Zn和O全部以化合态存在而不存在Zn原子和O原子.但Cu基上的ZnO薄膜易吸收空气中的氧和水蒸汽,薄膜质量期望通过生长合适过渡层得到改善.
关键词:
等离子体增强
,
化学气相沉积
,
SEM
,
EDAX
,
XPS
,
衬底
华丽
,
郭兴蓬
,
杨家宽
中国腐蚀与防护学报
用动电位扫描结合EDAX、XRD和SEM研究无铅焊料Sn-0.7Cu在覆Cu FR-4基板上于3.5 mass%NaCl溶液中电化学腐蚀行为及枝晶生长过程。结果显示，Sn-0.7Cu钎料腐蚀主要以共晶组织中Sn腐蚀为主；且随着电场强度增大，腐蚀电流密度增大，低电场为均匀腐蚀，高电场时有不均匀腐蚀发生。钎料枝晶生长引起“桥连”短路问题严重影响电子产品可靠性，EDAX分析表明，枝晶上Cu离子含量大于Sn离子，说明Cu离子的电化学迁移能力和还原沉积能力大于Sn。枝晶生长是螺旋式从内到外沿四个方向最快伸展的生长方式，晶粒形成存在一定取向，主要为(411)和(220)；电场强度越大，枝晶生长速率越快，桥连时间愈短；当阴、阳间距为3 mm时，两极桥连时间分别为 12.5 h（8 V），20.4 h（5 V），28.5 h（3 V），39.6 h（1 V）。XRD结果显示其腐蚀产物主要为：SnO2，SnCl4；枝晶组成主要为：Sn，SnO2， SnCl4，Cu，CuCl2。
关键词:
Sn-Cu钎料
,
corrosion behavior
,
dendrite growth
,
potentiodynamic polarization
,
SEM
,
EDAX
,
XRD
