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二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究?

陈峰 , 张振华 , 赵会峰 , 鲍思权 , 姜宏

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.24.002

采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体，通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备 SnO2∶F透明导电薄膜，研究了DMTC、TFA和 H2 O的含量对薄膜结构及光电性能的影响，研究表明当 F/Sn 物质的量比为1∶1、H2 O/Sn物质的量比为3∶2时，制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶 SnO2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较，结果表明，两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构，利用DMTC不仅可以制备出与 MBTC性能相近的薄膜，同时薄膜表面更加均匀。

关键词: 二甲基二氯化锡 , 化学气相沉积法 , SnO2∶F薄膜