张晋敏
,
谢泉
,
梁艳
,
曾武贤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.03.014
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰,873K退火后,界面附近Fe、si原子开始相互扩散,973K退火后富金属相Fe1+xSi形成,而1073K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273K后所有...
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
原子扩散
,
卢瑟福背散射
,
Fe-Si化合物
