刘德镇
,
萧淑琴
,
周少雄
,
刘国栋
,
张林
,
刘宜华
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.05.018
用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.
关键词:
FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜
,
巨磁阻抗效应
,
磁畴结构
