陈吉安
,
茅昕辉
,
赵晓昱
,
丁文
,
曹莹
,
周勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.005
采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
关键词:
应力阻抗
,
FeSiB/Cu/FeSiB三层膜
,
磁控溅射
,
曲折状
