袁慧敏
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姜山
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王文静
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颜世申
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萧淑琴
金属学报
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
关键词:
巨磁阻抗效应
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FeZrBNi sandwiched film
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doping
