吕坤
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祝柏林
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李珂
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胡文超
,
谢铭
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吴隽
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13396
采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了H2流量和Cu层厚度对薄膜透明导电性能的影响.在此基础上,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,对Cu层厚度对其性能的影响进行了研究.结果表明,沉积气氛中引入H2能有效降低GZO薄膜的电阻率而提高其透光率,在H2流量为20 sccm时GZO薄膜具有最佳性能.随着Cu厚度的增加,GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率和平均透过率显著下降.在H2/Ar混合气氛下制备的氢化GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率普遍低于Ar气氛下制备的GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,但其透光率却随Cu层厚度的增加而显著降低.另外,薄膜的禁带宽度随H2流量的增加而增加,随Cu层厚度的增加而减小.
关键词:
GZO薄膜
,
多层膜结构
,
氢掺杂
,
透明导电薄膜
,
光电性能
张有为
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周细应
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周涛
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聂志云
,
答建成
,
杨涛
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93％,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1.
关键词:
外加磁场
,
磁控溅射
,
GZO薄膜
,
晶体结构
,
光电性能
王海林
,
孙宜华
,
莫观孔
,
方亮
,
王磊
,
黄妞
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at％时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4％,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at％时达最小值7.62×10-3 Q·cm.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
GZO薄膜
,
透过率
,
电阻率
